2N3904 (MMBT3904, PMBT3904,1A,1AM,1N), Транзистор NPN 40В 0.2А 0.25Вт [SOT-23]

Name: 2N3904 (MMBT3904, PMBT3904,1A,1AM,1N), Транзистор NPN 40В 0.2А 0.25Вт [SOT-23]
Brand: NXP Semiconductor
Price: 7 RUB
Availability: InStock

Магазин Новогиреево:

до 994 шт – сейчас

до 2494 шт – 23 мая

от 2495 шт – 20 мая

Магазин Мытищи:

до 1500 шт – сейчас

до 2494 шт – 20 мая

от 2495 шт – 20 мая

Курьером или до пункта выдачи:

до 1500 шт – от 2 часов

до 2494 шт – 20 мая + доставка (от 2 часов)

от 2495 шт – 20 мая + доставка (от 2 часов)

Артикул:

N-2296

Производитель:

NXP Semiconductor

Корпус

SOT-23

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц

300

Макс. напр. к-б при заданном обр. токе к и разомк. цепи э.(Uкбо макс), В

Максимально допустимый ток к (Iк макс.А)

0.2

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

0.25

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

100

Структура

NPN

7 руб.

от 10 шт. — 6 руб.

от 100 шт. — 3.5 руб.

Цена в магазинах: 14 руб.

Описание
Техническая документация

2N3904 - биполярный NPN‑транзистор общего назначения для низковольтных и маломощных схем (усиление, коммутация)

Технические характеристики:

Структура: NPN.
Материал: кремний (Si).
Максимальное напряжение коллектор–база ( $V_{CBO}$ ): 60 В.
Максимальное напряжение коллектор–эмиттер ( $V_{CEO}$ ): 40 В.
Максимальное напряжение эмиттер–база ( $V_{EBO}$ ): 6 В.
Максимальный постоянный ток коллектора ( $I_{C}$ ): 200 мА.
Максимальная рассеиваемая мощность ( $P_{C}$ ):
- 625 мВт (для корпуса TO‑92);
- до 1 Вт (для корпусов с лучшим теплоотводом, например SOT‑223).
Граничная частота коэффициента передачи тока ( $f_{T}$ ): 300 МГц.
Статический коэффициент передачи тока (hFE / β):
- минимум 40 (в некоторых версиях — от 60);
- типовое значение 100–300 (при $I_{C} = 10$ мА, $V_{CE} = 1$ В).
Ёмкость коллекторного перехода ( $C_{C}$ ): 4 пФ.
Обратный ток коллектора ( $I_{CBO}$ , макс.): 50 нА.
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер ( $V_{CE (s a t)}$ ):
- ≤ 200 мВ (при $I_{C} = 10$ мА, $I_{B} = 1$ мА);
- ≤ 300 мВ (при $I_{C} = 50$ мА, $I_{B} = 5$ мА).
Напряжение база–эмиттер в насыщении ( $V_{BE (s a t)}$ ): ≤ 900 мВ (при $I_{C} = 50$ мА, $I_{B} = 5$ мА).
Предельная температура перехода ( $T_{J}$ ): 135 °C.
Диапазон рабочих температур: от −55 °C до +150 °C.

Комплементарная пара:

Для 2N3904 комплементарным транзистором является 2N3906 с структурой NPN