Адреса магазинов и доставка

2N3904, Транзистор NPN 40В 0.2А 0.35Вт [TO-92]

Магазин пр. Вернадского:
до 999 шт – сейчас
до 1814 шт – 26 апреля
от 1815 шт – 26 апреля
Магазин Новогиреево:
до 366 шт – сейчас
до 1814 шт – 26 апреля
от 1815 шт – 26 апреля
Магазин Мытищи:
до 449 шт – сейчас
до 1814 шт – 26 апреля
от 1815 шт – 26 апреля
Курьером или до пункта выдачи:
до 449 шт – от 2 часов
до 1814 шт – 26 апреля + доставка (от 2 часов)
от 1815 шт – 26 апреля + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-613
Производитель:
-
Биполярный транзистор
Корпус
TO-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
300
Макс. напр. к-б при заданном обр. токе к и разомк. цепи э.(Uкбо макс), В
60
Максимально допустимый ток к (Iк макс.А)
0.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.35
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
300
Структура
NPN
7 руб.
от 10 шт. — 5 руб.
от 100 шт. — 3 руб.
Цена в магазинах: 14 руб.

Биполярный транзистор NPN 40В 0.2А 0.35Вт [TO-92]

Биполярный NPN транзистор используется с целью управления слабыми нагрузками, создающимися сервоприводами, маломощными двигателями и иными устройствами и имеет такие три вывода, как коллектор, база и эмиттер.

Транзистор 2N3904 способен усиливать токи и напряжение.

Управление транзистором устроено таким образом, что если база заземлена, то ток проходит через транзистор. Если же через базу проходит ток, то работа транзистора блокируется.

Биполярный транзистор NPN чаще используется для сборки приборов, т.к. переключается быстрее по сравнению с NPN транзистором.
Он может иметь различные размеры от больших, применяемых в промышленности, и очень маленьких, которые могут использоваться в микросхемах.

Его устанавливают непосредственно в:

• системах бесперебойного питания;
• в устройствах преобразования;
• генераторах колебания;
• энергосберегающих системах
• источниках питания импульсного типа;
• усилительных каскадах;
• смесителях;
• иных схемах.

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости.