BC847C (1G, 1GW), Транзистор [SOT-23]
Магазин Новогиреево:
до 349 шт – сейчас
до 2027 шт – 23 мая
от 2028 шт – 23 мая
Магазин Мытищи:
до 1678 шт – сейчас
до 2027 шт – 20 мая
от 2028 шт – 23 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 1678 шт – от 2 часов
до 2027 шт – 20 мая + доставка (от 2 часов)
от 2028 шт – 23 мая + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-629
Производитель:
NXP Semiconductor
Корпус
SOT-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Макс. напр. к-б при заданном обр. токе к и разомк. цепи э.(Uкбо макс), В
50
Максимально допустимый ток к (Iк макс.А)
0.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.25
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
110-800
Структура
NPN
BC817 — биполярный NPN‑транзистор общего назначения для поверхностного монтажа (корпус SOT‑23).
Технические характеристики:
- Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 50 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 45 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
- Максимальный ток коллектора (IC): 100 мА
- Пиковый ток коллектора (ICM): 200 мА.
- Пиковый ток базы (IBM): 100 мА.
- Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 250 мВт
- Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110–800
- Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): 100 МГц
- Ёмкость коллекторного перехода: 2,5 пФ.
- Диапазон рабочих температур: от -65 °C до +150 °C.
Комплементарная пара:
Для BC847C комплементарным транзистором является BC857C с структурой NPN