Тип транзистора: NPN с предварительным смещением (Pre‑Biased).
Корпус: SOT‑23‑3 (также совместим с TO‑236‑3, SC‑59).
Максимальное напряжение коллектор–эмиттер (VCEO): 50 В.
Максимальный ток коллектора (IC): 500 мА.
Максимальная рассеиваемая мощность: 330 мВт.
Сопротивления встроенных резисторов:
R1 (база): 10 кОм;
R2 (эмиттер–база): 10 кОм.
Коэффициент усиления по току (hFE, мин.): 70 (при IC=50 мА, VCE=5 В).
Напряжение насыщения (макс.): 300 мВ (при IB=2,5 мА, IC=50 мА).
Граничная частота: 100 МГц.
Обратный ток коллектора (макс., ICBO): 100 нА.
Размеры корпуса: 2,9 × 1,4 × 0,8 мм.