FDN5618P, Транзистор
Магазин пр. Вернадского:
до 8900 шт – 30 ноября
Магазин Новогиреево:
до 8900 шт – 30 ноября
Магазин Мытищи:
до 8900 шт – 30 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 8900 шт – 30 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-124779
Производитель:
-
Производитель: HXY
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: P
- Максимальное напряжение сток-исток, В: -60
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -2
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 160
- Емкость, пФ: 444
- Заряд затвора, нКл: 11,3
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 41*41*22/9000
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: SOT-23
- Упаковка: REEL, 3000 шт.
| Справочные данные: FDN5618P.pdf |
| Схема: FDN5618P.jpg |