FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Магазин Новогиреево:
до 1 шт – сейчас
до 6 шт – 17 мая
от 7 шт – 17 мая
Магазин Мытищи:
до 5 шт – сейчас
до 6 шт – 17 мая
от 7 шт – 17 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 5 шт – от 2 часов
до 6 шт – 17 мая + доставка (от 2 часов)
от 7 шт – 17 мая + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-664
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Корпус
TO-3P
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.