IKW25N120H3FKSA1, Транзистор IGBT 1200В 50А 326Вт, встроенный диод [TO3PN]
Магазин Новогиреево:
до 10 шт – 21 марта
от 11 шт – 18 марта
Магазин Мытищи:
до 10 шт – сейчас
от 11 шт – 18 марта
Курьером или до пункта выдачи:
до 10 шт – от 2 часов
от 11 шт – 18 марта + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-664
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Корпус
TO-3P
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.