FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Магазин Новогиреево:
от 1 шт – 14 февраля
Магазин Мытищи:
от 1 шт – 14 февраля
Курьером или до пункта выдачи:
от 1 шт – 14 февраля + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-664
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Корпус
TO-3P
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.