FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Магазин пр. Вернадского:
до 7 шт – сейчас
до 14 шт – 23 ноября
от 15 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 14 шт – 23 ноября
до 14 шт – 23 ноября
от 15 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 7 шт – сейчас
до 14 шт – 23 ноября
от 15 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 7 шт – от 2 часов
до 14 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
от 15 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-664
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Корпус
TO-3P
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.