FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Магазин пр. Вернадского:
до 0 шт – 4 мая
от 4 шт – 4 мая
Магазин Новогиреево:
до 3 шт – сейчас
от 4 шт – 4 мая
Магазин Мытищи:
до 3 шт – 4 мая
от 4 шт – 4 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 3 шт – 4 мая плюс от 1 дня
от 4 шт – 4 мая плюс от 1 дня
Артикул:
N-664
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Корпус
TO-3P
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.