FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]

Магазин пр. Вернадского:
до 3 шт – 1 июня
от 4 шт – 1 июня
Магазин Новогиреево:
до 3 шт – сейчас
от 4 шт – 1 июня
Магазин Мытищи:
до 3 шт – 1 июня
от 4 шт – 1 июня
Курьером или до пункта выдачи:
до 3 шт – 1 июня + доставка (от 2 часов)
от 4 шт – 1 июня + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-664
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Корпус
TO-3P
Структура
N-канал
319 руб.
Цена в магазинах: 351 руб.

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.