G30N60 (SGP30N60), Транзистор IGBT N-канал, 600В 30А 250Вт [TO-220]
Магазин Новогиреево:
до 13 шт – сейчас
до 17 шт – 24 января
от 18 шт – 24 января
Магазин Мытищи:
до 4 шт – сейчас
до 17 шт – 21 января
от 18 шт – 24 января
Курьером или до пункта выдачи:
до 4 шт – от 2 часов
до 17 шт – 21 января + доставка (от 2 часов)
от 18 шт – 24 января + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-7317
Производитель:
Infineon
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
30
Максимальное напряжение к-э, В
600
Корпус
TO-220
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
250
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.