GT35J321, Транзистор IGBT N-канал, 600В 37А 75Вт [TO-3P]
Магазин пр. Вернадского:
до 6 шт – 3 мая
от 7 шт – 3 мая
Магазин Новогиреево:
до 6 шт – сейчас
от 7 шт – 3 мая
Магазин Мытищи:
до 6 шт – 3 мая
от 7 шт – 3 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 6 шт – 3 мая + доставка (от 2 часов)
от 7 шт – 3 мая + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-7318
Производитель:
Toshiba
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
37
Максимальное напряжение к-э, В
600
Корпус
TO-3P
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
75
Структура
N-канал+диод
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.