GT60N321, Транзистор IGBT N-канал, 1000В 60А 170Вт [TO-3P]
Магазин пр. Вернадского:
от 1 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
от 1 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
от 1 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
от 1 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-7319
Производитель:
Toshiba
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
60
Максимальное напряжение к-э, В
1000
Корпус
TO-3P
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
170
Структура
N-канал+диод
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.