IHW15N120R3 (H15R1203), Транзистор IGBT 1200В 15А
Магазин пр. Вернадского:
до 2 шт – 4 мая
от 3 шт – 4 мая
Магазин Новогиреево:
до 2 шт – 4 мая
от 3 шт – 4 мая
Магазин Мытищи:
до 2 шт – сейчас
от 3 шт – 4 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 2 шт – от 1 дня
от 3 шт – 4 мая плюс от 1 дня
Артикул:
N-5223
Производитель:
-
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
30
Максимальное напряжение к-э, В
1200
Корпус
TO-247
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
254
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.