IHW15N120R3 (H15R1203), Транзистор IGBT 1200В 15А [TO-247]
Магазин Новогиреево:
до 3 шт – сейчас
до 11 шт – 1 августа
от 12 шт – 1 августа
Магазин Мытищи:
до 8 шт – сейчас
до 11 шт – 29 июля
от 12 шт – 1 августа
Курьером или до пункта выдачи:
до 8 шт – от 2 часов
до 11 шт – 29 июля + доставка (от 2 часов)
от 12 шт – 1 августа + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-5223
Производитель:
-
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
30
Максимальное напряжение к-э, В
1200
Корпус
TO-247
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
254
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.