IHW15N120R3 (H15R1203), Транзистор IGBT 1200В 15А [TO-247]
Магазин пр. Вернадского:
до 1 шт – 23 ноября
от 2 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 1 шт – 23 ноября
от 2 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 1 шт – сейчас
от 2 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 1 шт – от 2 часов
от 2 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-5223
Производитель:
-
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
30
Максимальное напряжение к-э, В
1200
Корпус
TO-247
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
254
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.