IHW20N120R2 (H20R1202), Транзистор IGBT N-канал, 1200В 20А 330Вт [TO-247]
Магазин пр. Вернадского:
до 2 шт – 3 мая
от 3 шт – 3 мая
Магазин Новогиреево:
до 2 шт – сейчас
от 3 шт – 3 мая
Магазин Мытищи:
до 2 шт – 3 мая
от 3 шт – 3 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 2 шт – 3 мая + доставка (от 2 часов)
от 3 шт – 3 мая + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-7322
Производитель:
Infineon
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
20
Максимальное напряжение к-э, В
1200
Корпус
TO-247
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
330
Структура
N-канал+диод
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.