Адреса магазинов и доставка

IKA10N60TXKSA1, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 1385 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 1385 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 1385 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 1385 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-113161
Производитель:
-
142 руб.
Мин. кол-во для заказа: 5 шт.
Кратность заказа: 5 шт.

600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: IGBT
  • Максимальный ток: коллектора (Iк max) - 11,7 А
  • Напряжение: насыщения коллектор-эмиттер - 1.5 V
  • Диапазон рабочих температур: -40…+175 °С
  • Время: задержки включения/ выключения - 12/ 215 нс
  • Ток утечки: затвор-эмиттер - 100 nA
  • Максимально допустимое напряжение: коллектор-эмиттер (VCEO) - 600 V; напряжение затвор-эмиттер - 20 V
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 30 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220F
  • Упаковка: TUBE, 50 шт.