IPB107N20N3GATMA1, Транзистор
Магазин пр. Вернадского:
до 790 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 790 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 790 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 790 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-113112
Производитель:
-
200V, 88A N-Channel MOSFET
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 9,6
- Заряд затвора, нКл: 65
- Максимальный ток: коллектора (Iк max) - 88 А
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3В
- Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: TO-263 (D2PAK)
- Упаковка: REEL, 1000 шт.