IPD122N10N3GATMA1, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 2430 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 2430 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 2430 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 2430 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-121612
Производитель:
-
121 руб.
Мин. кол-во для заказа: 10 шт.
Кратность заказа: 1 шт.

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12,2
  • Емкость, пФ: 2500
  • Заряд затвора, нКл: 26
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
  • Время: задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 94 Вт
  • Способ монтажа: поверхностный (SMT)
  • Корпус: TO-252 (DPAK)
  • Упаковка: REEL, 2500 шт.