High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*50/2500
- Мощность: рассеиваемая (max) - 625 мВт
- Напряжение: питания 12...20В
- Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
- Ток: источника питания(рабочий) - 120 uA
- Количество: каналов - 1
- Выходной ток: 200 мА
- Тип выхода: CMOS, TTL
- Корпус: SOIC-8
- Упаковка: REEL, 2500 шт.
- MSL(Уровень чувствительности к влажности): 2