IR2127STRPBF, Микросхема

Магазин пр. Вернадского:
до 1185 шт – 7 декабря
Магазин Новогиреево:
до 1185 шт – 7 декабря
Магазин Мытищи:
до 1185 шт – 7 декабря
Курьером или до пункта выдачи:
до 1185 шт – 7 декабря + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-113106
Производитель:
-
157 руб.
Мин. кол-во для заказа: 8 шт.
Кратность заказа: 1 шт.

High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
  • Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*50/2500
  • Мощность: рассеиваемая (max) - 625 мВт
  • Напряжение: питания 12...20В
  • Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
  • Ток: источника питания(рабочий) - 120 uA
  • Количество: каналов - 1
  • Выходной ток: 200 мА
  • Тип выхода: CMOS, TTL
  • Корпус: SOIC-8
  • Упаковка: REEL, 2500 шт.
  • MSL(Уровень чувствительности к влажности): 2