Low voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: Драйвер нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*59/5000
- Мощность: рассеиваемая (max) - 625 мВт
- Напряжение: питания 6...20В
- Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
- Ток: источника питания(рабочий) - 100 uA
- Количество: каналов - 2
- Выходной ток: 1,5 А
- Тип выхода: CMOS, LSTTL
- Корпус: SOIC-8
- Упаковка: REEL, 2500 шт.
- MSL(Уровень чувствительности к влажности): 2