IRF640NPBF, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 850 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 850 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 850 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 850 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-113146
Производитель:
-
36 руб.
Мин. кол-во для заказа: 32 шт.
Кратность заказа: 1 шт.

200V, 18A N-Channel MOSFET

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150
  • Заряд затвора, нКл: 67
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 130 Вт
  • Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*41*31/4000
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220
  • Упаковка: TUBE, 50 шт.