200V, 18A N-Channel MOSFET
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150
- Емкость, пФ: 1160
- Заряд затвора, нКл: 67
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4V @ 250µA
- Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 150 Вт
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/800
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: TO-263 (D2PAK)
- Упаковка: REEL, 800 шт.
- MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1