MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 50
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 130
- Емкость, пФ: 290
- Заряд затвора, нКл: 30
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*41/4000
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: SOIC-8
- Упаковка: REEL, 4000 шт.