30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N+P
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 30 / -30
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4 / -3
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50 / 100
- Заряд затвора, нКл: 25
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: SOIC-8
- Упаковка: REEL, 4000 шт.