55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: 2N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 43
- Заряд затвора, нКл: 24
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/4000
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: SOIC-8
- Упаковка: REEL, 4000 шт.