IRF7341TRPBF, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 3615 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 3615 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 3615 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 3615 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-113145
Производитель:
-
34 руб.
Мин. кол-во для заказа: 34 шт.
Кратность заказа: 1 шт.

55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: 2N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 43
  • Заряд затвора, нКл: 24
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
  • Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/4000
  • Способ монтажа: поверхностный (SMT)
  • Корпус: SOIC-8
  • Упаковка: REEL, 4000 шт.