MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N+P
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 55 / -55
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7 / -3,4
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50
- Емкость, пФ: 740
- Заряд затвора, нКл: 36
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*48*45/4000
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: SOIC-8
- Упаковка: REEL, 4000 шт.