Адреса магазинов и доставка

IRFBG30PBF, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 1975 шт – 26 октября
Магазин Новогиреево:
до 1975 шт – 26 октября
Магазин Мытищи:
до 1975 шт – 26 октября
Курьером или до пункта выдачи:
до 1975 шт – 26 октября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-121127
Производитель:
-
103 руб.
Мин. кол-во для заказа: 10 шт.
Кратность заказа: 10 шт.

MOSFET 1000V N-CH HEXFET

Производитель: VISHAY

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 1000
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 5
  • Емкость, пФ: 980
  • Заряд затвора, нКл: 80
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
  • Время: задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB
  • Упаковка: TUBE, 1000 шт.