IRFP4668PBF, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 580 шт – 25 мая
Магазин Новогиреево:
до 580 шт – 25 мая
Магазин Мытищи:
до 580 шт – 25 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 580 шт – 25 мая + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-121659
Производитель:
-
330 руб.
Мин. кол-во для заказа: 1 шт.
Кратность заказа: 1 шт.

MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 130
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 9,7
  • Емкость, пФ: 10720
  • Заряд затвора, нКл: 241
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
  • Время: задержки включения/ выключения - 105/ 74 нс
  • Ток утечки: непрерывный (Id) - 130 А
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 В
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 520 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247
  • Упаковка: TUBE, 25 шт.