Адреса магазинов и доставка

IRFR5410TRPBF, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 800 шт – 26 октября
Магазин Новогиреево:
до 800 шт – 26 октября
Магазин Мытищи:
до 800 шт – 26 октября
Курьером или до пункта выдачи:
до 800 шт – 26 октября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-121673
Производитель:
-
34 руб.
Мин. кол-во для заказа: 30 шт.
Кратность заказа: 10 шт.

MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: P
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: -100
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -13
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 205
  • Емкость, пФ: 760
  • Заряд затвора, нКл: 58
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 66 Вт
  • Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*46*46/2000
  • Способ монтажа: поверхностный (SMT)
  • Корпус: TO-252 (DPAK)
  • Упаковка: REEL, 2000 шт.