IRLR120NTRPBF, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 1450 шт – 25 мая
Магазин Новогиреево:
до 1450 шт – 25 мая
Магазин Мытищи:
до 1450 шт – 25 мая
Курьером или до пункта выдачи:
до 1450 шт – 25 мая + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-121664
Производитель:
-
31 руб.
Мин. кол-во для заказа: 20 шт.
Кратность заказа: 10 шт.

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 185
  • Емкость, пФ: 440
  • Заряд затвора, нКл: 20
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
  • Время: задержки включения/ выключения - 35/ 22 нс
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 48 Вт
  • Способ монтажа: поверхностный (SMT)
  • Корпус: TO-252 (DPAK)
  • Упаковка: REEL, 2000 шт.