MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 185
- Емкость, пФ: 440
- Заряд затвора, нКл: 20
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
- Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
- Время: задержки включения/ выключения - 35/ 22 нс
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 48 Вт
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 64*40*52/2000
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: TO-252 (DPAK)
- Упаковка: REEL, 2000 шт.