MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
Производитель: Infineon Technologies
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 42
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 40
- Емкость, пФ: 1700
- Заряд затвора, нКл: 48
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
- Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
- Время: задержки включения/ выключения - 84/ 15 нс
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 69 Вт
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/2000
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: TO-252 (DPAK)
- Упаковка: REEL, 2000 шт.
- MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1