MJD45H11T4G, Транзистор
Магазин пр. Вернадского:
до 2250 шт – 26 апреля
Магазин Новогиреево:
до 2250 шт – 26 апреля
Магазин Мытищи:
до 2250 шт – 26 апреля
Курьером или до пункта выдачи:
до 2250 шт – 26 апреля + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-127469
Производитель:
-
Транзистор биполярный PNP; В; -8 А; hFE 40…; TO-252 (DPAK)
Производитель: JSMSEMI
Технические характеристики:
- Способ монтажа: Поверхностный
- Тип проводимости: PNP
- Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -80
- Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
- Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -1
- Максимальный постоянный ток коллектора, А: -8
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 50
- Коэффициент усиления hFE мин.: 40
- Граничная частота ft, МГц: 40
- Транспортная упаковка: размер/кол-во: 39*39*39/2500
- Корпус: TO-252 (DPAK)
- Упаковка: REEL, 2500 шт.
| Справочные данные: MJD45H11T4G.pdf |
| Схема: MJD45H11T4G.jpg |
![IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А, [Micro3 / SOT-23]](/assets/images/products/571923/medium/sot-23.jpg "IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А, [Micro3 / SOT-23]")