RJP30H1DPD, Транзистор IGBT N-канал, 360В 30А 40Вт [D-PAK]
Магазин пр. Вернадского:
от 1 шт – 30 ноября
Магазин Новогиреево:
от 1 шт – 30 ноября
Магазин Мытищи:
от 1 шт – 30 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
от 1 шт – 30 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
N-7396
Производитель:
RENESAS
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
30
Максимальное напряжение к-э, В
360
Корпус
D-PAK
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
40
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.