STD10NM60N, Транзистор

Магазин пр. Вернадского:
до 580 шт – 23 ноября
Магазин Новогиреево:
до 580 шт – 23 ноября
Магазин Мытищи:
до 580 шт – 23 ноября
Курьером или до пункта выдачи:
до 580 шт – 23 ноября + доставка (от 2 часов)
Артикул:
R-119802
Производитель:
-
82 руб.
Мин. кол-во для заказа: 14 шт.
Кратность заказа: 1 шт.

N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK

Производитель: ST Microelectronics

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 550
  • Емкость, пФ: 550
  • Заряд затвора, нКл: 19
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 25 В
  • Мощность: рассеиваемая (max) - 70 Вт
  • Транспортная упаковка: размер/кол-во: 67*45*51/2000
  • Способ монтажа: поверхностный (SMT)
  • Корпус: TO-252 (DPAK)
  • Упаковка: REEL, 2000 шт.
  • MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1