HGTG30N60A4D, IGBT 600В 75А [TO247]
Магазин пр. Вернадского:
от 1 шт – 27 апреля
Магазин Новогиреево:
от 1 шт – 27 апреля
Магазин Мытищи:
от 1 шт – 27 апреля
Курьером или до пункта выдачи:
от 1 шт – 27 апреля плюс от 1 дня
Артикул:
N-665
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Корпус
TO-247
Структура
N-канал
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.