MJD127T4G, Транзистор

Транзистор биполярный PNP; -100 В; -8 А; hFE 1000…20000; TO-252 (DPAK)

Производитель: JSMSEMI

Технические характеристики:

• Способ монтажа: Поверхностный
• Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)
• Тип проводимости: PNP
• Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100
• Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100
• Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
• Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -4
• Максимальный постоянный ток коллектора, А: -8
• Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 20
• Коэффициент усиления hFE мин.: 1000
• Коэффициент усиления hFE макс.: 20000
• Граничная частота ft, МГц: 4
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 41*41*39/10000
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2500 шт.