2А509Б, Диод

Технические характеристики:

• Вес: 1,3 г
• Напряжение: мгновенное обратное: 175 В
• Ток: постоянный прямой: 100 мА
• Частота: критическая: 150…350 ГГц
• Емкость: корпуса: 0,3…0,45 пФ
• Индуктивность: диода: 0,5 нГн
• Мощность: импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт
• Сопротивление: потерь прямое: не более 1,5 Ом
• Заряд: накопленный: не более 25 нКл
• Температура: окружающей среды: -60…+100°С
• Минимальная наработка: 25000 ч
• Срок службы: 25 лет