2N3904 (MMBT3904, PMBT3904,1A,1AM,1N), Транзистор NPN 40В 0.2А 0.25Вт [SOT-23]

Артикул: N-2296
2N3904 (MMBT3904, PMBT3904,1A,1AM,1N), Транзистор NPN 40В 0.2А 0.25Вт [SOT-23] - изображение 1

О товаре

Артикул
N-2296
Бренд
NXP Semiconductor
Максимально допустимый ток к (Iк макс.А)
0.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.25
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
300
Макс. напр. к-б при заданном обр. токе к и разомк. цепи э.(Uкбо макс), В
40
Структура
NPN
Корпус
SOT-23
Показать все

Наличие

Магазин Москва
в наличии
Магазин Мытищи
в наличии
Доставка
7
 × 7  =  7
от 10 шт — 6 ₽
от 100 шт — 3.5 ₽
Цена в розничных магазинах: 14

2N3904 - биполярный NPN‑транзистор общего назначения для низковольтных и маломощных схем (усиление, коммутация)

Технические характеристики:

  • Структура: NPN.

  • Материал: кремний (Si).

  • Максимальное напряжение коллектор–база (VCBO): 60 В.

  • Максимальное напряжение коллектор–эмиттер (VCEO): 40 В.

  • Максимальное напряжение эмиттер–база (VEBO): 6 В.

  • Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 200 мА.

  • Максимальная рассеиваемая мощность (PC):

    • 625 мВт (для корпуса TO‑92);

    • до 1 Вт (для корпусов с лучшим теплоотводом, например SOT‑223).

  • Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): 300 МГц.

  • Статический коэффициент передачи тока (hFE / β):

    • минимум 40 (в некоторых версиях — от 60);

    • типовое значение 100–300 (при IC=10 мА, VCE=1 В).

  • Ёмкость коллекторного перехода (CC): 4 пФ.

  • Обратный ток коллектора (ICBO, макс.): 50 нА.

  • Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)):

    •  200 мВ (при IC=10 мА, IB=1 мА);

    •  300 мВ (при IC=50 мА, IB=5 мА).

  • Напряжение база–эмиттер в насыщении (VBE(sat)): ≤ 900 мВ (при IC=50 мА, IB=5 мА).

  • Предельная температура перехода (TJ): 135 °C.

  • Диапазон рабочих температур: от −55 °C до +150 °C.

 

Комплементарная пара:

Для 2N3904 комплементарным транзистором является 2N3906 с структурой NPN