3266P 1M, Резистор

Технические характеристики:

• Высота: 4,6 (корпус) мм
• Ширина: 6,75 мм
• Глубина: 7,25 (корпус) мм
• Мощность: максимальная рассеиваемая - 0,5 Вт
• Номинальное сопротивление: (max) 1 мОм
• Тип: подстроечный резистор многооборотный
• Диапазон рабочих температур: -55 …+150 °С
• Износоустойчивость циклов: 200 раз
• Сопротивление изоляции, не менее: 1000 (при Uисп.dc=500 В) В
• Допускаемое отклонение: ± 10 %