BC807-25LT1G (5B1), Транзистор PNP [SOT23]

Артикул: N-2302
BC807-25LT1G (5B1), Транзистор PNP [SOT23] - изображение 1

О товаре

Артикул
N-2302
Бренд
ON Semiconductor
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.225
Максимально допустимый ток к (Iк макс.А)
0.5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
160-400
Макс. напр. к-б при заданном обр. токе к и разомк. цепи э.(Uкбо макс), В
50
Структура
PNP
Корпус
SOT-23
Показать все

Наличие

Магазин Москва
в наличии
Магазин Мытищи
в наличии
Доставка
9 ₽
 × 9  =  9 ₽
от 10 шт — 7 ₽
от 100 шт — 5 ₽
Цена в розничных магазинах: 18 ₽

Технические характеристики:

  • Структура: PNP.

  • Корпус: SOT23‑3 (SC‑59).

  • Максимальное напряжение коллектор‑эмиттер (Uкэ макс​): 45 В.

  • Максимальное напряжение коллектор‑база (Uкб макс​): 50 В.

  • Максимальное напряжение эмиттер‑база (Uэб макс​): 5 В.

  • Максимальный ток коллектора (Ic макс​): 0,5 А (в отдельных источниках указывается до 0,8 А).

  • Статический коэффициент передачи тока (h21э мин​): 160.

  • Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр​): 100 МГц.

  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd​): 0,25–0,31 Вт (в зависимости от условий эксплуатации и версии спецификации).

  • Диапазон рабочих температур: от −55∘C до +150∘C.

Комплементарная пара:

Для BC807-25LT1G комплементарным транзистором является BC817-25 с структурой NPN