BC847C (1G, 1GW), Транзистор [SOT-23]

Артикул: N-629
BC847C (1G, 1GW), Транзистор [SOT-23] - изображение 1

О товаре

Артикул
N-629
Бренд
NXP Semiconductor
Максимально допустимый ток к (Iк макс.А)
0.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
110-800
Макс. напр. к-б при заданном обр. токе к и разомк. цепи э.(Uкбо макс), В
50
Структура
NPN
Корпус
SOT-23
Показать все

Наличие

Магазин Москва
в наличии
Магазин Мытищи
в наличии
Доставка
4
 × 4  =  4
от 100 шт — 3 ₽
Цена в розничных магазинах: 12

BC817 — биполярный NPN‑транзистор общего назначения для поверхностного монтажа (корпус SOT‑23).

Технические характеристики:

  • Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 50 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 45 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
  • Максимальный ток коллектора (IC): 100 мА
  • Пиковый ток коллектора (ICM): 200 мА. 
  • Пиковый ток базы (IBM): 100 мА. 
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 250 мВт
  • Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110–800
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): 100 МГц
  • Ёмкость коллекторного перехода: 2,5 пФ. 
  • Диапазон рабочих температур: от -65 °C до +150 °C.

Комплементарная пара:

Для BC847C комплементарным транзистором является BC857C с структурой NPN