FDN5630, Транзистор

Производитель: HXY

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 85
• Емкость, пФ: 510
• Заряд затвора, нКл: 7,5
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 41*41*22/9000
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: SOT-23
• Упаковка: REEL, 3000 шт.