FF200R12KT4HOSA1, Транзистор

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: IGBT модуль
• Максимальный ток: 320A
• Напряжение: 1200В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 1100 Вт
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/30
• Корпус: Screw Mount Module 62 mm
• Упаковка: TRAY, 10 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1