FF200R12KT4HOSA1, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: IGBT модуль
• Описание: Trench FS
• Максимальное напряжение КЭ (Vces), В: 1200
• Максимальный ток коллектора (Ic), А: 200
• Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: 2,05
• Пороговое напряжение затвор-эмиттер Vge(th), В: 5,8
• Потери на переключение при 25°С (Ets), мДж: 35
• Диапазон рабочих температур: -40…+150 °С
• Корпус: 62 мм
• Упаковка: TRAY, 10 шт.
• Вес брутто: 403.33
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1