GT60N321, Транзистор IGBT N-канал, 1000В 60А 170Вт [TO-3P]

Name: GT60N321, Транзистор IGBT N-канал, 1000В 60А 170Вт [TO-3P]
Brand: Toshiba
SKU: N-7319
Price: 780 RUB
Availability: InStock

Артикул: N-7319

GT60N321, Транзистор IGBT N-канал, 1000В 60А 170Вт [TO-3P] - изображение 1

О товаре

Артикул

N-7319

Бренд

Toshiba

Максимальное напряжение к-э, В

1000

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

170

Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A

Структура

N-канал+диод

Корпус

TO-3P

Показать все

Наличие

Магазин Москва

в наличии

Магазин Мытищи

в наличии

Доставка

780 ₽

× 780 = 780 ₽

от 5 шт — 681 ₽

Цена в розничных магазинах: 859 ₽

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.