GW60V60DF, Транзистор IGBT N-канал, 600В 60А 375Вт [TO-247]

Name: GW60V60DF, Транзистор IGBT N-канал, 600В 60А 375Вт [TO-247]
Brand: ST Microelectronics
SKU: N-7321
Price: 879 RUB
Availability: InStock

Артикул: N-7321

GW60V60DF, Транзистор IGBT N-канал, 600В 60А 375Вт [TO-247] - изображение 1

О товаре

Артикул

N-7321

Бренд

ST Microelectronics

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

375

Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A

Максимальное напряжение к-э, В

600

Структура

N-канал+диод

Корпус

TO-247

Показать все

Наличие

Магазин Москва

10 октября

Магазин Мытищи

10 октября

Доставка

879 ₽

× 879 = 879 ₽

от 5 шт — 824 ₽

Цена в розничных магазинах: 967 ₽

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.