IKA10N60TXKSA1, Транзистор

600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: IGBT
• Максимальный ток: коллектора (Iк max) - 11,7 А
• Напряжение: насыщения коллектор-эмиттер - 1.5 V
• Диапазон рабочих температур: -40…+175 °С
• Время: задержки включения/ выключения - 12/ 215 нс
• Ток утечки: затвор-эмиттер - 100 nA
• Максимально допустимое напряжение: коллектор-эмиттер (VCEO) - 600 V; напряжение затвор-эмиттер - 20 V
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 30 Вт
• Корпус: TO-220F
• Способ монтажа: Through Hole
• Упаковка: TUBE, 50 шт.