IKW25N120H3FKSA1, Транзистор IGBT 1200В 50А 326Вт, встроенный диод [TO3PN]

Name: IKW25N120H3FKSA1, Транзистор IGBT 1200В 50А 326Вт, встроенный диод [TO3PN]
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: N-664
Price: 359 RUB
Availability: InStock

Артикул: N-664

IKW25N120H3FKSA1, Транзистор IGBT 1200В 50А 326Вт, встроенный диод [TO3PN] - изображение 1

О товаре

Артикул

N-664

Бренд

Fairchild Semiconductor

Структура

N-канал

Корпус

TO-3P

Наличие

Магазин Москва

в наличии

Магазин Мытищи

в наличии

Доставка

359 ₽

× 359 = 359 ₽

от 5 шт — 347 ₽

Цена в розничных магазинах: 395 ₽

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.