IPB107N20N3GATMA1, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 9,6
• Заряд затвора, нКл: 65
• Описание: 200V, 88A N-Channel MOSFET
• Максимальный ток: коллектора (Iк max) - 88 А
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3В
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт
• Вес брутто: 2.08
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-263 (D2PAK)
• Упаковка: REEL, 1000 шт.