IPD122N10N3GATMA1, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12,2
• Емкость, пФ: 2500
• Заряд затвора, нКл: 26
• Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Время: задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 94 Вт
• Вес брутто: 0.55
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252-3 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2500 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1