IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 35
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 24
• Емкость, пФ: 2700
• Заряд затвора, нКл: 39
• Описание: N-Channel MOSFET 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 71 Вт
• Вес брутто: 0.44
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252-3 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2500 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1