IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор

Артикул: R-126409
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор - изображение 1

О товаре

Артикул
R-126409

Наличие

Магазин Москва
26 августа
Магазин Мытищи
26 августа
Доставка
70
Минимальный заказ: 20 шт
Кратность заказа: 1 шт
 × 70  =  1 400

N-Channel MOSFET 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

  • Тип: MOSFET
  • Тип проводимости: N
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 35
  • Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 24
  • Емкость, пФ: 2700
  • Заряд затвора, нКл: 39
  • Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 71 Вт
  • Транспортная упаковка: размер/кол-во: 39*37*39/1000
  • Способ монтажа: поверхностный (SMT)
  • Корпус: TO-252-3 (DPAK)
  • Упаковка: REEL, 2500 шт.
  • MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1