IPT007N06NATMA1, Транзистор

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 60
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 486
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 0.75
• Емкость, пФ: 16000
• Заряд затвора, нКл: 216
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3,3 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 375 Вт
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/200
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: HSOF-8
• Упаковка: REEL, 200 шт.