IR2113STRPBF, Микросхема

High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
• Мощность: рассеиваемая (max) - 1.25 Вт
• Напряжение: питания 10...20В
• Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
• Ток: источника питания(рабочий) - 340 uA
• Количество: каналов - 2
• Выходной ток: 2,5 А
• Тип выхода: CMOS, TTL
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 50*49*49/2000
• Корпус: SOIC-16
• Упаковка: REEL, 1000 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3