IR2127STRPBF, Микросхема

High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
• Мощность: рассеиваемая (max) - 625 мВт
• Напряжение: питания 12...20В
• Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
• Ток: источника питания(рабочий) - 120 uA
• Количество: каналов - 1
• Выходной ток: 200 мА
• Тип выхода: CMOS, TTL
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*50/2500
• Корпус: SOIC-8
• Упаковка: REEL, 2500 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 2