IRF5210PBF, Транзистор

100V, 40A P-Channel MOSFET

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: P
• Максимальное напряжение сток-исток, В: -100
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -40
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 60
• Заряд затвора, нКл: 180
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2В
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 50.5*20*26/3000
• Способ монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Упаковка: TUBE, 50 шт.